摸魚心法第一章——和配置文件說拜拜
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近日，聯電推出了業界首個RFSOI 3D IC解決方案，將其55奈米RFSOI制程平臺與硅堆棧技術相結合，實現了在不損失射頻（RF）性能的情況下將芯片尺寸縮小超過45％的突破。這一創新技術將被應用于手機、物聯網和AR/VR等領域，為加速5G世代的到來鋪平道路。該技術已獲得多項國際專利，并即將投入量產。
RFSOI制程是用于射頻芯片的晶圓制造，主要應用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等領域。隨著智能手機對頻段數量需求的增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓的鍵合技術，成功解決了射頻堆棧常見的干擾問題，通過垂直堆疊芯片的方式，實現了關鍵組件的面積縮小，應對了整合更多射頻前端模塊的挑戰。
據悉，該解決方案涵蓋了從130到40奈米的制程技術，采用了8吋和12吋晶圓生產，已有超過500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆。
聯電技術開發處執行處長馬瑞吉表示，這一突破性技術不僅能夠解決5G/6G智能手機頻段需求增加所帶來的挑戰，還將在行動、物聯網和虛擬現實等領域中發揮重要作用，為更快的數據傳輸提供支持。未來，聯電將繼續致力于開發類似5G毫米波芯片堆棧技術的解決方案，以滿足客戶對射頻芯片的不斷增長的需求。
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