3月25日消息,據報道,由于SK海力士部分工程出現問題,英偉達所需的12層HBM3E內存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局!
英偉達所需的12層HBM3E內存將由三星獨家供貨。這一決定基于三星電子在2024年2月27日宣布成功開發出業界首款36GB 12H(12層堆疊)HBM3E DRAM內存的消息。據報道,英偉達計劃從9月開始大量購買這些內存,且這一合作將由三星電子獨家承擔供貨任務。此外,SK海力士因部分工程問題未能參與此次供應,而三星的HBM3產品也于2024年第一季度通過了AMD MI300系列驗證,加快了追趕SK海力士的步伐。這表明三星在HBM3E內存領域的技術領先和生產能力得到了市場的認可。因此,可以確認英偉達所需的12層HBM3E內存確實將由三星獨家供貨。
三星技術特點:
采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的要求。
先進的TC-NCF技術有效提升垂直密度和熱穩定性,同時最大限度地減少了由于芯片變薄而可能發生的“翹曲現象”,有利于高端堆疊擴展 。
市場地位:此次成功開發標志著三星在高容量HBM市場的領先地位得到了進一步鞏固 。
三星電子推出的這款36GB 12H HBM3E DRAM內存,不僅在容量和性能上實現了重大突破,其采用的先進技術也為其在高容量HBM市場中的領先地位提供了有力支撐。
英偉達計劃從9月開始大量購買的12層HBM3E內存的具體數量為141GB,用途主要是為了升級其最強AI芯片,即H200 AI芯片。這些內存將采用6個24GB的堆棧,使用6,144位的存儲器接口。HBM3e內存的特點是不僅增加了GPU的容量和內存量,而且速度也更快。此外,美光宣布量產的HBM3e內存可提供24GB容量,有助于數據中心輕松擴展其AI應用,無論是訓練大規模神經網絡還是加速推理任務都能提供必要的內存帶寬。這表明英偉達購買的HBM3E內存主要用于提升其AI芯片的性能,特別是在處理大模型運行能力方面,預計能提升3.5倍。
SK海力士未能參與此次供應的原因可能與以下幾點有關:
談判失敗:SK海力士在與某些方的談判中失敗,這可能導致了其未能參與某些供應鏈的合作。雖然具體的談判內容和對象沒有明確說明,但談判失敗是一個可能導致其未能參與供應的因素。
美國政策的影響:SK海力士正面臨由于美國半導體政策的不利影響所造成的困境。這種政策可能限制了SK海力士在中國的運營和投資,從而影響了其供應鏈的穩定性和參與度。
市場需求下滑:存儲市場需求的下滑也是SK海力士面臨的一個挑戰。盡管SK海力士未宣布減產,但它已經將資本支出大幅縮減了50%,這表明公司正在應對市場需求減少的問題,可能間接影響了其參與供應鏈的能力。
新冠特殊需求結束導致的大衰退:新冠疫情特殊需求的結束導致了大衰退,這對SK海力士等半導體制造商構成了挑戰。這種宏觀經濟環境的變化可能也影響了SK海力士的供應鏈參與情況。
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