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韓媒:三星、臺積電3納米良率未超過60%

來源: 責編: 時間:2023-10-06 19:17:14 258觀看
導讀 三星、臺積電的3納米制程良率傳落在50%~60%。法新社韓媒消息指出,三星電子(Samsung Electronics)、臺積電3納米制程良率尚未超過60%。加上近日蘋果(Apple)iPhone 15系列搭載臺積電3納米芯片爆出過熱爭議,部分觀點將原因指


三星、臺積電的3納米制程良率傳落在50%~60%。法新社

韓媒消息指出,三星電子(Samsung Electronics)、臺積電3納米制程良率尚未超過60%。加上近日蘋果(Apple)iPhone 15系列搭載臺積電3納米芯片爆出過熱爭議,部分觀點將原因指向臺積電,引起業界關注。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com


韓媒Chosun Biz引述業界消息指出,目前三星、臺積電的3納米制程良率約停在50~60%。先前也有業界分析指出,雖然三星3納米良率超過60%,并供貨國內大陸客戶,但由于該芯片省略用于邏輯芯片的SRAM制程,很難看作是完整的3納米制程。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com


引起外界注意的是,現階段唯一擁有3納米量產業績的臺積電,其良率傳低于先前外界期待。近日,iPhone 15系列卷入發熱爭議中,雖然蘋果透過iOS 17.0.3軟件更新,用以解決iPhone 15 Pro系列過熱問題。但也有部分觀點將原因指向臺積電3納米制程,認為臺積電沿用上一代制程用的鰭式場效應晶體管(FinFET)結構,未能正確控制發熱。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com


另一方面,業界普遍認為,三星主打的3納米環繞式閘極(GAA)技術,良率尚未達到吸引大客戶的水準。雖然GAA結構可將閘極調控通道電位的功能最大化,讓包含第四個底部在內的所有通道都被閘極環繞,而閘極360度環繞通道區域可以抑制短通道效應,進一步降低電壓、提升效能,突破FinFET效能限制,但制程難度也相當高。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com


盡管三星比臺積電更早投入3納米GAA量產,但為吸引大型客戶,制程須有一定良率水準,才可確保量產體制。根據消息人士說法,據推測,目前三星3納米制程良率停留在50%左右,三星為在2024年拿下高通(Qualcomm)、三星系統LSI等主要客戶的3納米訂單,至少要將良率提高到70%以上。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com


后續值得觀察的是,三星、臺積電的3納米良率水準,預計將影響之后高通、三星系統LSI的3納米移動芯片訂單去向。此外,NVIDIA、超微(AMD)等企業也可能為分散供應鏈,將部分訂單交給三星。Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com



責任編輯:張興民Tet28資訊網——每日最新資訊28at.com



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