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蘋果關注移動HBM技術，三星12月推VCS DRAM樣品

來源：責編：時間：2024-09-18 11:13:08 121觀看

導讀 class="art_content" 據報道，蘋果計劃在未來iPhone等移動產品中引入VCS技術，以應對智能終端時代的需求。三星電子和SK海力士正積極研發新一代存儲器，將HBM概念應用于移動領域，引起業界關注。三星半導體專家姜云炳透露，三

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據報道，蘋果計劃在未來iPhone等移動產品中引入VCS技術，以應對智能終端時代的需求。三星電子和SK海力士正積極研發新一代存儲器，將HBM概念應用于移動領域，引起業界關注。

三星半導體專家姜云炳透露，三星將于2024年12月發布首款VCS DRAM樣品，該技術通過銅線將LPDDR垂直堆疊并封裝于手機應用處理器上，旨在縮短數據傳輸距離，提升AI功能執行速度。SK海力士也在研發類似技術VFO，預計兩家公司將于2026年量產。

姜云炳指出，VCS DRAM是應蘋果等手機業者要求而開發的技術，旨在提升智能終端的數據處理能力。與HBM不同，VCS和VFO在結構上有所差異，且LPDDR DRAM的堆疊難度可能更高。

業界分析認為，隨著智能終端市場的快速發展，移動DRAM有望成為新的增長動力，并可能逐步向訂單型產品轉變，從而改變存儲器市場的供需格局。蘋果此舉旨在逆轉AI競爭中的落后局面，并重新構想AP設計以適應新技術。

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