快科技1月25日消息,今天,英特爾官方發布公告稱,已實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產,可在2030年后繼續推進摩爾定律。
這一進展不僅可以在芯片產品的性能、尺寸,以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢,還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術創新。
英特爾表示,在其新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9工廠,實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產,其中包括英特爾突破性的3D封裝技術Foveros。
據了解,英特爾Foveros是3D先進封裝技術,在處理器的制造過程中,能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。
英特爾的Foveros和EMIB等封裝技術,可以實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管,并在2030年后繼續推進摩爾定律。
摩爾定律是Intel創始人之一戈登·摩爾的經驗之談,其核心內容為:
集成電路上可以容納的晶體管數量,每經過18-24個月便會翻一番,而處理器的性能大約每2年翻一倍,同時價格降低一半。
英特爾CEO帕特·基辛格此前也曾表示,“對于那些宣告我們(摩爾定律)已經死亡的批評者來說,在元素周期表用完之前,我們絕不會停下!”
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