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SK海力士1cnm DRAM技術新成果:良品率提升至80%以上

來源: 責編: 時間:2025-04-10 07:39:37 47觀看
導讀 快科技4月9日消息,據報道,SK海力士在DRAM芯片技術領域取得重大突破,其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業領先水平。這一技術突破正值AI浪潮推動高性能存儲需求激增的關鍵時期

快科技4月9日消息,據報道,SK海力士在DRAM芯片技術領域取得重大突破,其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業領先水平。D9g28資訊網——每日最新資訊28at.com

這一技術突破正值AI浪潮推動高性能存儲需求激增的關鍵時期,有望幫助SK海力士在消費級和數據中心市場建立技術優勢,挑戰三星在DRAM領域的領導地位。D9g28資訊網——每日最新資訊28at.com

采用1cnm工藝制造的DDR5 DRAM芯片展現出顯著性能提升:運行速率達到8Gbps,較前代產品提升11%;能效提高9%以上;通過設計技術革新,生產效率提升超過30%。D9g28資訊網——每日最新資訊28at.com

SK海力士通過應用新型材料和優化EUV工藝,在提升性能的同時保持了成本競爭力。據估算,數據中心采用該芯片后有望節省30%以上的電力成本。D9g28資訊網——每日最新資訊28at.com

盡管具體上市時間尚未確定,但這一技術突破已為下一代高性能存儲解決方案奠定了基礎。隨著良品率的持續提升和產能的逐步擴大,1cnm DRAM芯片有望重塑存儲市場格局,為AI時代的數據處理需求提供更強大的支持。D9g28資訊網——每日最新資訊28at.com

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