快科技2月12日消息,據(jù)韓國媒體報道,三星電子正在重新調(diào)整其第六代1cnm DRAM的設(shè)計,以提升良品率,確保其HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)。
三星的1cnm DRAM自開發(fā)以來一直面臨良品率問題,2024年末的試產(chǎn)并未達到預(yù)期效果,大規(guī)模生產(chǎn)準備階段的良品率通常在60%至70%左右。
為了提升良品率,三星決定調(diào)整設(shè)計,核心電路線寬保持不變,而外圍電路線寬的要求則被放松,這一調(diào)整預(yù)計將顯著提升良品率,確保HBM4內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)。
三星的目標是在2025年6月開始量產(chǎn)1cnm DRAM,為HBM4的生產(chǎn)鋪平道路,HBM4內(nèi)存是三星未來內(nèi)存業(yè)務(wù)的重要組成部分,因此確保1cnm DRAM的良品率對于三星的競爭力至關(guān)重要。
競爭對手SK海力士預(yù)計快在2025年2月開始量產(chǎn)1cnm DRAM芯片,將成為全球首家運用1cnm工藝生產(chǎn)DRAM芯片的存儲器供應(yīng)商。
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