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英飛凌推出全球首款12英寸GaN晶圓!效率更高、成本更低

來源: 責編: 時間:2024-09-12 16:40:33 98觀看
導讀 快科技9月12日消息,半導體巨頭英飛凌科技近日宣布,公司已成功研發(fā)出全球首款300毫米(約12英寸)功率氮化鎵(GaN)晶圓技術。與現(xiàn)有的200毫米晶圓相比,300毫米晶圓技術意味著在單個晶圓上可以制造更多的芯片,從而提高

快科技9月12日消息,半導體巨頭英飛凌科技近日宣布,公司已成功研發(fā)出全球首款300毫米(約12英寸)功率氮化鎵(GaN)晶圓技術。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

與現(xiàn)有的200毫米晶圓相比,300毫米晶圓技術意味著在單個晶圓上可以制造更多的芯片,從而提高了生產(chǎn)效率和規(guī)模經(jīng)濟。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這一技術進步不僅能夠增加每晶圓的芯片產(chǎn)量,達到2.3倍,同時也有助于降低生產(chǎn)成本,使得氮化鎵技術更加經(jīng)濟高效。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

氮化鎵功率半導體因其在效率、尺寸和重量方面的優(yōu)勢,在工業(yè)、汽車、消費電子、計算和通信應用中得到快速采用。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,英飛凌將在2024年11月在慕尼黑舉行的電子展上展示其300毫米GaN技術。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

公司已經(jīng)在奧地利菲拉赫的功率工廠成功制造了300毫米GaN晶圓,并計劃根據(jù)市場需求進一步擴大產(chǎn)能。16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示:“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實力和全球團隊專注工作的結果,旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領導者的地位。這項技術突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則,使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。”16I28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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