快科技8月23日消息,據媒體報道,半導體行業的三大巨頭SK海力士、臺積電和NVIDIA即將展開深度合作,共同開發下一代高頻寬內存技術(HBM)。
這一合作計劃預計將在9月的中國臺灣國際半導體展(Semicon Taiwan)上正式宣布,屆時SK海力士社長金柱善將發表專題演講。
三方的合作將聚焦于HBM技術的研發,以期掌握AI服務器關鍵零組件的制高點,HBM作為一種高性能的3D堆疊內存技術,對于AI和高性能計算處理器的內存性能至關重要。
合作的目標是在2026年實現HBM4的量產,采用臺積電的12FFC+及5納米工藝制造HBM4接口芯片,以實現更微小的互連間距。
SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM內存的獨家供應商,預計在2026年NVIDIA推出的Rubin系列將正式采用HBM4技術。
這一合作將進一步鞏固三方在AI半導體產業中的領導地位,并擴大與等競爭對手的差距。
此外,臺積電也在加強其CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術產能,以支持HBM4的大規模量產。
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