【ITBEAR】8月13日消息，SK海力士的研究員Seo Jae-Wook在韓國水原當地時間12日舉行的學術會議上透露，為了緩解成本壓力，公司正考慮轉向4F2或3D結構的DRAM內存。Ka628資訊網——每日最新資訊28at.com

Seo Jae-Wook指出，從1c DRAM開始，EUV光刻的成本急劇上升，現在已經到了需要重新評估這種制造方式經濟性的時刻。他進一步提到，SK海力士也在探討是否應從下一代產品開始，轉向采用垂直柵極（VG）或3D DRAM技術。Ka628資訊網——每日最新資訊28at.com

據ITBEAR了解，Seo Jae-Wook所提到的VG DRAM，即4F2 DRAM，三星電子稱其為VCT（垂直通道晶體管）DRAM，這是一種新型的垂直構建單元結構的內存。這種結構的DRAM通過從下到上依次放置源極、柵極、漏極和電容，相較于現有的6F2 DRAM，能夠減少約30%的芯片面積。Seo Jae-Wook預計，VG DRAM將在0a nm節點后開始量產。Ka628資訊網——每日最新資訊28at.com

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三星電子、SK海力士、美光這三大原廠即將在2024~2025年推出采用EUV光刻的1c nm DRAM。然而，從下一代1d nm節點開始，先進內存將使用EUV多重曝光技術，這將導致生產流程中EUV光刻環節的成本大幅提升。Seo Jae-Wook表示，通過采用VG或3D DRAM結構，內存的EUV光刻成本可以降低到傳統6F2 DRAM的一半以下。不過，他也提到，VG DRAM雖然能在接下來的1~2代工藝中維持較低的光刻成本，但之后EUV成本將再次急劇上升；而3D DRAM路線則需要大規模投資沉積與蝕刻設備。Ka628資訊網——每日最新資訊28at.com

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