【ITBEAR】8月12日消息，近日，有韓媒ETNews報道稱，三星電子已在內部確認了將在平澤P4工廠投資建設1c nm DRAM內存產線的計劃，并預計該產線將于明年6月正式投入運營。B4Z28資訊網——每日最新資訊28at.com

平澤P4工廠是一座集多種半導體生產于一體的綜合性中心，共分為四期建設。根據早前的規劃，一期主要用于NAND閃存的生產，二期原計劃為邏輯代工，而三期和四期則規劃為DRAM內存的生產。值得注意的是，三星已經在P4一期引入了DRAM生產設備，但二期的建設目前處于擱置狀態。B4Z28資訊網——每日最新資訊28at.com

據ITBEAR了解，1c nm DRAM代表著第六代20~10 nm級的內存工藝，目前各大廠商的相關產品都還未正式發布。韓媒在報道中指出，三星電子計劃在今年年底前啟動1c nm內存的生產。B4Z28資訊網——每日最新資訊28at.com

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平澤廠區作為三星的重要生產基地，此次1c nm DRAM產線的建設也被視為是三星電子為應對未來市場需求的重要布局。特別是考慮到HBM內存對DRAM晶圓的消耗量遠高于傳統內存，平澤P4工廠1c nm DRAM產線的建設無疑是在為可能的HBM4生產需求做好充分準備。B4Z28資訊網——每日最新資訊28at.com

此前，有報道指出三星電子計劃在明年下半年推出的HBM4內存上使用1c nm DRAM裸片，旨在通過更先進的DRAM制程提升HBM4產品的能效競爭力，以此追趕在HBM領域處于領先地位的SK海力士。B4Z28資訊網——每日最新資訊28at.com

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