6月安卓手機好評榜：魅族20 Pro蟬聯冠軍
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4月17日消息，據韓媒Alphabiz報道，三星電子原本考慮在美國得克薩斯州泰勒市建立一座先進DRAM內存晶圓廠，然而，經過深入評估和多方考量，該公司最終決定在此地建設先進封裝設施。
本周，三星電子與美國政府達成初步協議，將獲得高達64億美元的補貼，以支持其在泰勒市的投資計劃。根據協議，三星將在該地建設兩座先進邏輯代工廠、一座先進封裝廠以及一座先進制程研發設施。這一變動反映了三星電子在全球半導體產業布局中的靈活策略調整。
據ITBEAR科技資訊了解，三星原初的設想是在泰勒市建造一座采用10nm級先進制程的DRAM內存晶圓廠，相關討論在協議簽署前的最后一刻仍在進行。美國方面為這一內存廠建設計劃提供了誘人的條件，而三星也對此展現出積極的態度。
然而，該計劃最終未能成形，主要受制于多重因素。從技術角度和成本控制考量，在美國建立先進的內存生產線存在不小的挑戰。同時，韓國政府對此計劃表示了反對意見，這可能也是影響三星決策的重要因素。
美國和泰勒市政府在排污審批方面對先進封裝業務表現出了配合的態度，這無疑為三星最終選擇在此建設先進封裝工廠提供了便利。
有業內人士指出，相較于美國，韓國在半導體行業的支持力度上顯得不足。這種情況可能促使三星電子在未來更多地考慮在美國等其他國家進行先進內存廠的建設。如果韓國政府不能展現出更大的支持力度，類似的外遷計劃或許將成為現實。
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