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3個原子厚度!Intel:2030年搞定1萬億晶體管

來源: 責編: 時間:2023-08-07 16:31:41 221觀看
導讀 晶體管數量/密度一直是衡量半導體技術進步的重要指標,目前已經可以做到單芯片1000多億個晶體管,比如Intel Ponte Vecchio GPU。IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上,Intel公布了多項新的技術突

晶體管數量/密度一直是衡量半導體技術進步的重要指標,目前已經可以做到單芯片1000多億個晶體管,比如Intel Ponte Vecchio GPU。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

IEDM 2022 IEEE國際電子器件會議上,Intel公布了多項新的技術突破,將繼續貫徹已經誕生75年的摩爾定律,目標是在2030年做到單芯片集成1萬億個晶體管,是目前的10倍。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

3個原子厚度!Intel:2030年搞定1萬億晶體管摩爾定律原型zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

從應變硅、高K金屬柵極、FinFET立體晶體管,到未來的RibbonFET GAA環繞柵極晶體管、PowerVia后置供電,再到2.5D EMIB+3D Foveros、Foveros Direct/Omni封裝技術,Intel一直在從各項技術上推動摩爾定律。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

IEDM 2022會議上,Intel披露了三個方面的技術突破:zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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1、下一代3D封裝準單芯片zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

基于混合鍵合(hybrid bonding),將集成密度和性能再提升10倍。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

同時,間距縮小到3微米,使得多芯片互連密度和帶寬媲美如今的單芯片SoC。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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2、超薄2D材料在單芯片內集成更多晶體管zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

使用厚度僅僅3個原子的2D通道材料,Intel展示了GAA堆棧納米片,在雙柵極結構上,在室溫環境、低漏電率下,達成了非常理想的晶體管開關速度。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

第一次深入揭示了2D材料的電接觸拓撲,可實現更高性能、更有彈性的晶體管通道。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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3、高性能計算能效、內存新突破zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel研發了可垂直堆疊在晶體管之上的全新內存,并首次展示了全新的堆疊鐵電電容,性能媲美傳統鐵電溝道電容,可用于在邏輯芯片上打造FeRAM。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel正在打造300毫米直徑的硅上氮化鎵晶圓,比標準的氮化鎵提升20倍。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel在超高能效方面也取得了新的突破,尤其是晶體管在斷電后也能保存數據,三道障礙已經突破兩道,很快就能達成在室溫下可靠運行。zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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3個原子厚度!Intel:2030年搞定1萬億晶體管Intel制造工藝路線圖zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

3個原子厚度!Intel:2030年搞定1萬億晶體管Intel封裝技術路線圖zMz28資訊網——每日最新資訊28at.com

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