最近,國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來振奮人心的消息——北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。
據(jù)了解,該技術(shù)已經(jīng)在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實(shí)現(xiàn)了小批量應(yīng)用,并且獲得了頭部企業(yè)的一致認(rèn)可,而且新的減薄機(jī)協(xié)同SiC激光改質(zhì)剝離切割技術(shù),可以大幅降低SiC襯底成本和工時(shí)。
眾所周知,SiC襯底制備挑戰(zhàn)極大,尤其是切磨拋關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的砂漿線等切割及研磨技術(shù)發(fā)展較為成熟,但存在加工效率低、材料損耗大、自動(dòng)化程度低、面型一致性差等問題,從而導(dǎo)致SiC襯底難以降低成本,阻礙了SiC器件的廣泛采用。
砂漿線切割技術(shù)不足
加工時(shí)間對比
SiC襯底切磨拋環(huán)節(jié)路線對比
WG-1250碳化硅自動(dòng)減薄機(jī)和WG-1261碳化硅全自動(dòng)減薄機(jī)
最近,北京中電科公司自研的6/8英寸WG-1250碳化硅(晶錠)自動(dòng)減薄機(jī)、WG-1261碳化硅(晶片)全自動(dòng)減薄機(jī)核心技術(shù)指標(biāo)均取得了關(guān)鍵性突破,6/8英寸SiC減薄后厚度均勻性TTV≤2μm(晶片)/TTV≤3μm(晶錠);翹曲度(WARP)≤30μm(晶片);表面彎曲程度(BOW)≤±15μm(晶片);UPH≥4片/小時(shí)(激光剝離面@單面去除80μm),UPH≥7片/小時(shí)(多線切割面@雙面去除各70μm),這些技術(shù)指標(biāo)的突破與設(shè)備產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著北京中電科公司駛?cè)隨iC襯底、SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的快車道。
SiC晶片/晶錠減薄前后及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)
據(jù)了解,該公司是在原有6英寸SiC自動(dòng)減薄機(jī)和12英寸Si晶圓全自動(dòng)減薄機(jī)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步優(yōu)化大功率低振動(dòng)氣浮主軸和高剛度高精度氣浮載臺(tái)設(shè)計(jì),突破晶圓厚度分區(qū)域自動(dòng)控制技術(shù)、晶錠厚度(≤5cm)自動(dòng)測量技術(shù)、不同厚度晶錠同臺(tái)同時(shí)加工技術(shù)及磨削/進(jìn)給自動(dòng)快速迭代技術(shù)等,不斷優(yōu)化激光改質(zhì)剝離切割后的晶錠/晶片磨削工藝。
此外,北京中電科還聯(lián)合鄭州三磨所進(jìn)行粗、細(xì)、精等金剛石磨輪耗材的工藝適配,克服了SiC材料磨不動(dòng)不好磨、晶圓面型控制精度差、磨輪損耗大與匹配性差等問題,滿足了6/8英寸雙尺寸、高質(zhì)量的減薄需求,受到頭部企業(yè)的一致認(rèn)可。
自主可控的SiC減薄用關(guān)鍵核心零部件
北京中電科公司表示,他們這次推出的WG-1250碳化硅(晶錠)自動(dòng)減薄機(jī)、WG-1261碳化硅(晶片)全自動(dòng)減薄機(jī),可聯(lián)合國產(chǎn)激光改質(zhì)剝離切割、晶亦精微SiC專用CMP、太原風(fēng)華SiC缺陷檢測等設(shè)備,助力國產(chǎn)6英寸SiC襯底制造的核心裝備局部成線能力快速躍升。他們始終以更快、更準(zhǔn)、更精為導(dǎo)向,從更精尖技術(shù)、更優(yōu)越性能和更穩(wěn)定工藝等多維度持續(xù)優(yōu)化SiC減薄設(shè)備,助力我國SiC襯底快速邁進(jìn)8英寸時(shí)代。
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