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國產(chǎn)SiC技術(shù)再突破,獲頭部企業(yè)一致肯定

來源: 責(zé)編: 時(shí)間:2023-09-12 14:41:39 307觀看
導(dǎo)讀最近,國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來振奮人心的消息——北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。據(jù)了解,該技術(shù)已經(jīng)在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實(shí)現(xiàn)了小批量應(yīng)用,并

最近,國產(chǎn)SiC設(shè)備傳來振奮人心的消息——北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)了解,該技術(shù)已經(jīng)在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實(shí)現(xiàn)了小批量應(yīng)用,并且獲得了頭部企業(yè)的一致認(rèn)可,而且新的減薄機(jī)協(xié)同SiC激光改質(zhì)剝離切割技術(shù),可以大幅降低SiC襯底成本和工時(shí)。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

眾所周知,SiC襯底制備挑戰(zhàn)極大,尤其是切磨拋關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的砂漿線等切割及研磨技術(shù)發(fā)展較為成熟,但存在加工效率低、材料損耗大、自動(dòng)化程度低、面型一致性差等問題,從而導(dǎo)致SiC襯底難以降低成本,阻礙了SiC器件的廣泛采用。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

砂漿線切割技術(shù)不足6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

激光改質(zhì)剝離切割技術(shù)有望給SiC行業(yè)發(fā)展注入了新的動(dòng)能。據(jù)北京中電科公司分析,相比傳統(tǒng)砂漿線切割,激光剝離技術(shù)可以增加6英寸20mm厚度的SiC晶錠切割產(chǎn)量——從32片增加到大約46片,襯底片產(chǎn)出數(shù)量增加超過44%

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切割損耗與切割片數(shù)對比
而且采用激光剝離技術(shù),可以大幅縮短襯底切割工時(shí)——總耗時(shí)從超過100小時(shí)縮減到30小時(shí)左右,減少70%以上

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加工時(shí)間對比6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

同時(shí),激光技術(shù)還有望減少單面機(jī)械拋光等加工工序,進(jìn)一步為SiC切磨拋環(huán)節(jié)路線帶來新的創(chuàng)新思路。因此,該技術(shù)在SiC襯底加工的成熟應(yīng)用,必將為SiC加工產(chǎn)業(yè)鏈帶來輕資產(chǎn)、高效益的新模式,促進(jìn)SiC襯底降本,為8英寸SiC破局帶來巨大機(jī)遇。

SiC襯底切磨拋環(huán)節(jié)路線對比6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

不過,激光改質(zhì)剝離切割結(jié)合精密減薄技術(shù),還可以打造行業(yè)最先進(jìn)的切磨工藝新路徑,能夠更好地降低材料損耗、晶片損傷,縮短加工周期,兩者相結(jié)合不僅可以極大降低SiC襯底制備成本,大幅提高生產(chǎn)效率,有效提升面型一致性,還易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,尤其是在8英寸SiC襯底加工上,與傳統(tǒng)工藝相比優(yōu)勢更加明顯
為此,在取得激光改質(zhì)剝離切割技術(shù)突破的同時(shí),北京中電科公司立足行業(yè)所趨,聚焦切磨新工藝的開發(fā),自主研制6/8英寸SiC晶錠自動(dòng)減薄機(jī)、6/8英寸SiC晶片全自動(dòng)減薄機(jī),進(jìn)一步推動(dòng)SiC襯底和器件制造產(chǎn)能躍升、降本增效,促進(jìn)SiC行業(yè)向規(guī)?;?、低成本方向發(fā)展。

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WG-1250碳化硅自動(dòng)減薄機(jī)和WG-1261碳化硅全自動(dòng)減薄機(jī)6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

最近,北京中電科公司自研的6/8英寸WG-1250碳化硅(晶錠)自動(dòng)減薄機(jī)、WG-1261碳化硅(晶片)全自動(dòng)減薄機(jī)核心技術(shù)指標(biāo)均取得了關(guān)鍵性突破,6/8英寸SiC減薄后厚度均勻性TTV≤2μm(晶片)/TTV≤3μm(晶錠);翹曲度(WARP)≤30μm(晶片);表面彎曲程度(BOW)≤±15μm(晶片);UPH≥4片/小時(shí)(激光剝離面@單面去除80μm),UPH≥7片/小時(shí)(多線切割面@雙面去除各70μm),這些技術(shù)指標(biāo)的突破與設(shè)備產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著北京中電科公司駛?cè)隨iC襯底、SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的快車道。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

SiC晶片/晶錠減薄前后及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)了解,該公司是在原有6英寸SiC自動(dòng)減薄機(jī)和12英寸Si晶圓全自動(dòng)減薄機(jī)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步優(yōu)化大功率低振動(dòng)氣浮主軸和高剛度高精度氣浮載臺(tái)設(shè)計(jì),突破晶圓厚度分區(qū)域自動(dòng)控制技術(shù)、晶錠厚度(≤5cm)自動(dòng)測量技術(shù)、不同厚度晶錠同臺(tái)同時(shí)加工技術(shù)及磨削/進(jìn)給自動(dòng)快速迭代技術(shù)等,不斷優(yōu)化激光改質(zhì)剝離切割后的晶錠/晶片磨削工藝。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此外,北京中電科還聯(lián)合鄭州三磨所進(jìn)行粗、細(xì)、精等金剛石磨輪耗材的工藝適配,克服了SiC材料磨不動(dòng)不好磨、晶圓面型控制精度差、磨輪損耗大與匹配性差等問題,滿足了6/8英寸雙尺寸、高質(zhì)量的減薄需求,受到頭部企業(yè)的一致認(rèn)可。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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自主可控的SiC減薄用關(guān)鍵核心零部件

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北京中電科公司表示,他們這次推出的WG-1250碳化硅(晶錠)自動(dòng)減薄機(jī)、WG-1261碳化硅(晶片)全自動(dòng)減薄機(jī),可聯(lián)合國產(chǎn)激光改質(zhì)剝離切、晶亦精微SiC專用CMP、太原風(fēng)華SiC缺陷檢測等設(shè)備,助力國產(chǎn)6英寸SiC襯底制造的核心裝備局部成線能力快速躍升。他們始終以更快、更準(zhǔn)、更精為導(dǎo)向,從更精尖技術(shù)、更優(yōu)越性能和更穩(wěn)定工藝等多維度持續(xù)優(yōu)化SiC減薄設(shè)備,助力國SiC襯底快速邁進(jìn)8英寸時(shí)代。6F728資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

新工藝、新裝備、新成果、新起點(diǎn)。北京中電科公司作為重要的設(shè)備央企,堅(jiān)持服務(wù)國家戰(zhàn)略,踐行高水平科技自立自強(qiáng)的半導(dǎo)體裝備使命,持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈和創(chuàng)新鏈深度融合,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同發(fā)展,助力打通產(chǎn)業(yè)鏈上下游,形成協(xié)同共贏的創(chuàng)新新局面,大力保障SiC器件供應(yīng)鏈安全,支撐產(chǎn)業(yè)鏈向高端躍升。
北京中電科系列減薄機(jī)家譜圖

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