28個(gè)SpringBoot項(xiàng)目中常用注解，日常開發(fā)、求職面試不再懵圈
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英飛凌科技股份公司（以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）與英飛源技術(shù)（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英飛源”）宣布達(dá)成合作，將共同拓展新能源汽車充電市場(chǎng)。英飛凌將為英飛源提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體元件，以提升電動(dòng)汽車充電站的效率。
英飛凌的CoolSiC MOSFET是基于碳化矽（SiC）的功率半導(dǎo)體，具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢(shì)。這種元件能夠大幅提高充電效率，加快充電速度，為電動(dòng)汽車車主創(chuàng)造更好的用戶體驗(yàn)。
英飛源是國(guó)內(nèi)新能源汽車充電市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于提供高效、可靠的電動(dòng)汽車充電解決方案。此次合作將進(jìn)一步加強(qiáng)英飛源在新能源汽車充電市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
由于擁有高功率密度，SiC適用于開發(fā)高效能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對(duì)超級(jí)充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術(shù)相比傳統(tǒng)的矽技術(shù)可將電動(dòng)汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和營(yíng)運(yùn)成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節(jié)省1 kWh電能，每年節(jié)省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動(dòng)SiC功率元件在電動(dòng)汽車充電模塊中的應(yīng)用。
作為最早將溝槽閘技術(shù)用于晶體管的SiC功率半導(dǎo)體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進(jìn)設(shè)計(jì)。這些元件具有高閾值電壓，并簡(jiǎn)化了閘極驅(qū)動(dòng)。CoolSiC MOSFET技術(shù)在上市前已通過馬拉松應(yīng)力試驗(yàn)及閘極電壓跳變應(yīng)力試驗(yàn)，并在上市后定期進(jìn)行監(jiān)控，以確保擁有最高閘極可靠性。
采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍，高功率密度，最小電磁輻射和干擾，高保護(hù)效能，以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動(dòng)汽車的快速充電需求，還能實(shí)現(xiàn)比市場(chǎng)上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達(dá)到全球領(lǐng)先水準(zhǔn)。
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