《英雄聯盟》夏季賽總決賽今日開打！JDG對陣LNG首發名單來了 Knight：準備三連冠
8月5日消息，今日17:00，《英雄聯盟》2023LPL夏季賽總決賽將正式開打，由JDG對陣LNG。對兩支隊伍來說，這場比賽不僅要爭奪夏季賽冠軍，更要決定誰才是LPL賽區一
ictimes消息，天眼查顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司成功獲授權了一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利，該專利的授權公告日為11月17日，授權公告號為CN113921595B。專利摘要揭示了一種創新的半導體結構及其形成方法，為半導體領域帶來了新的技術突破。
該半導體結構包括多個關鍵組成部分，首先是摻雜有第一離子的襯底，為整個結構奠定了基礎。在襯底內，深溝結構的存在進一步豐富了半導體的形態，為電子元件的性能提供了更多可能。在襯底和深溝結構的頂部，阻擋摻雜區的設置有助于調控電子流的傳輸，提高了半導體器件的整體效能。
值得注意的是，半導體結構中還涉及到第一外延層、體區、源區以及柵極結構等關鍵元素。這些組件的有機結合使得半導體器件在性能和功能上都取得了顯著的提升。特別是，柵極結構的巧妙設計，使其既能與深溝結構相鄰，又能與體區和源區表面相互接觸，為電子元件的精密控制提供了更多可能性。
專利摘要中還提到了集電區，其位于襯底底部，與深溝結構的底部之間被襯底間隔。這一設計考慮到了電子元件的整體結構，通過巧妙的排列，進一步提升了半導體器件的隔離性能和穩定性。
總體而言，通過這項半導體結構及其形成方法的專利，上海華虹宏力半導體制造有限公司在絕緣柵雙極型晶體管的性能上取得了顯著的突破。這一創新將有望推動半導體行業的發展，并為未來的電子器件提供更為高效和可靠的解決方案。
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