ictimes消息，天眼查顯示，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司成功獲授權(quán)了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利，該專利的授權(quán)公告日為11月17日，授權(quán)公告號為CN113921595B。專利摘要揭示了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，為半導(dǎo)體領(lǐng)域帶來了新的技術(shù)突破。Jd128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個關(guān)鍵組成部分，首先是摻雜有第一離子的襯底，為整個結(jié)構(gòu)奠定了基礎(chǔ)。在襯底內(nèi)，深溝結(jié)構(gòu)的存在進(jìn)一步豐富了半導(dǎo)體的形態(tài)，為電子元件的性能提供了更多可能。在襯底和深溝結(jié)構(gòu)的頂部，阻擋摻雜區(qū)的設(shè)置有助于調(diào)控電子流的傳輸，提高了半導(dǎo)體器件的整體效能。Jd128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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值得注意的是，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中還涉及到第一外延層、體區(qū)、源區(qū)以及柵極結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵元素。這些組件的有機(jī)結(jié)合使得半導(dǎo)體器件在性能和功能上都取得了顯著的提升。特別是，柵極結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)計(jì)，使其既能與深溝結(jié)構(gòu)相鄰，又能與體區(qū)和源區(qū)表面相互接觸，為電子元件的精密控制提供了更多可能性。Jd128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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專利摘要中還提到了集電區(qū)，其位于襯底底部，與深溝結(jié)構(gòu)的底部之間被襯底間隔。這一設(shè)計(jì)考慮到了電子元件的整體結(jié)構(gòu)，通過巧妙的排列，進(jìn)一步提升了半導(dǎo)體器件的隔離性能和穩(wěn)定性。Jd128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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總體而言，通過這項(xiàng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司在絕緣柵雙極型晶體管的性能上取得了顯著的突破。這一創(chuàng)新將有望推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，并為未來的電子器件提供更為高效和可靠的解決方案。Jd128資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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