據(jù)報(bào)道,三星電子已與中國(guó)NAND Flash制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署協(xié)議,租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND(V10)產(chǎn)品,預(yù)計(jì)2025年下半年量產(chǎn),堆疊層數(shù)或達(dá)420~430層。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是首家將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND的公司,擁有強(qiáng)大的專利組合。三星V10 NAND將引入晶圓對(duì)晶圓形式的混合鍵合技術(shù),以提高效能和生產(chǎn)力。
此前,三星主要采用COP制程,但隨著NAND堆疊層數(shù)增加,底部外圍電路壓力增大,因此決定引入混合鍵合技術(shù)。
此舉被視為三星通過友好協(xié)議降低未來風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)加快技術(shù)開發(fā)速度的策略。業(yè)界人士指出,三星在新一代NAND開發(fā)中不太可能避開長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利。
此外,韓媒預(yù)期SK海力士也可能會(huì)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署專利協(xié)議,以提高400層等級(jí)NAND產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)性和量產(chǎn)性。
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