三星電子一位離職部長因涉嫌向長鑫存儲泄露半導體核心技術(shù)，近日在韓國法院一審被判處有期徒刑7年，并處罰金2億韓元（約13.7萬美元）。65V28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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據(jù)稱，該部長泄露了三星18納米DRAM制程信息，對三星及韓國產(chǎn)業(yè)競爭力造成重大負面影響。65V28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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該部長于2016年離職后，加入長鑫存儲并泄露了包括半導體沉積等在內(nèi)的8項核心技術(shù)。此外，他還涉嫌收受貴重物品，與三星協(xié)力廠職員共謀，將半導體設(shè)備設(shè)計數(shù)據(jù)交給中國企業(yè)。65V28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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韓國國家情報院掌握技術(shù)泄露情況后，請求檢方調(diào)查。首爾中央地方檢察廳于2024年1月對嫌疑人提起公訴。65V28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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