近日,位于光谷的先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目傳來新進(jìn)展。據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)消息,該項(xiàng)目的四座生產(chǎn)廠房中已有兩座封頂,另外兩座正在加緊建設(shè),整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2025年年底前實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。這一投資120億元的高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地,將成為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要力量。
該項(xiàng)目由全球稀散金屬龍頭企業(yè)先導(dǎo)科技集團(tuán)投資建設(shè),總建筑面積達(dá)26萬平方米,包含研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心和辦公大樓等19棟建筑。
其中,M1廠房將用于砷化鎵襯底生產(chǎn)線,主要應(yīng)用于5G射頻芯片;M2廠房為磷化銦襯底生產(chǎn)線,是光通信激光器的核心材料;M3廠房將承擔(dān)可調(diào)諧激光器的量產(chǎn);M4廠房則是鍺片生產(chǎn)基地,用于紅外探測(cè)器的關(guān)鍵材料。
項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片,滿足全球15%的高端需求。這不僅將有力補(bǔ)強(qiáng)光谷的光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈,還將推動(dòng)國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時(shí)代”的戰(zhàn)略材料,廣泛應(yīng)用于5G通信、光通信、汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而,我國(guó)在砷化鎵襯底和磷化銦襯底的進(jìn)口依存度仍較高,分別達(dá)到83%和90%以上。先導(dǎo)科技集團(tuán)的這一項(xiàng)目,有望在一定程度上緩解國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體材料的供應(yīng)瓶頸。
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