SK海力士近日宣布，成功完成面向人工智能（AI）領(lǐng)域的新一代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4的研發(fā)，并首次建立全球量產(chǎn)體系。這一突破性成果標(biāo)志著公司在AI存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)一步鞏固了領(lǐng)導(dǎo)地位，為應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的AI算力需求提供了關(guān)鍵解決方案。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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據(jù)公司介紹，HBM4通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了性能與能效的雙重提升。相較于前代產(chǎn)品，其數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量翻倍至2048條，帶寬擴(kuò)大一倍的同時(shí)，能效提升超過40%。這一突破使HBM4成為全球數(shù)據(jù)處理速度和能效水平最高的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，搭載HBM4的AI系統(tǒng)性能最高可提升69%，同時(shí)能顯著降低數(shù)據(jù)中心的電力消耗，有效緩解當(dāng)前AI基礎(chǔ)設(shè)施面臨的能耗壓力。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在技術(shù)實(shí)現(xiàn)方面，HBM4采用了SK海力士自主研發(fā)的第五代10納米級(jí)（1b）DRAM工藝，并引入了改進(jìn)版的批量回流模制底部填充（MR-MUF）技術(shù)。該技術(shù)通過在芯片堆疊過程中注入液態(tài)保護(hù)材料并固化，不僅簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程，還優(yōu)化了散熱效果。與傳統(tǒng)薄膜填充方式相比，MR-MUF技術(shù)減少了芯片堆疊時(shí)的物理壓力，提升了翹曲控制能力，為穩(wěn)定量產(chǎn)提供了重要保障。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

SK海力士HBM開發(fā)部門副社長(zhǎng)趙珠煥表示，HBM4的研發(fā)完成是行業(yè)發(fā)展的重要里程碑。公司致力于通過及時(shí)交付兼具性能、能效和可靠性的產(chǎn)品，鞏固在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并加速產(chǎn)品上市周期。他強(qiáng)調(diào)，隨著AI應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)處理速度和能效的要求不斷提高，HBM4將成為滿足市場(chǎng)需求的核心解決方案。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

值得注意的是，HBM4的運(yùn)行速度突破了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8Gbps限制，達(dá)到每秒10千兆比特以上。這一性能提升使得HBM4能夠更好地支持高負(fù)載AI計(jì)算任務(wù)，為訓(xùn)練和推理場(chǎng)景提供更高效的存儲(chǔ)支持。公司預(yù)測(cè)，HBM4的廣泛應(yīng)用將推動(dòng)AI服務(wù)性能邁向新臺(tái)階，同時(shí)降低整體運(yùn)營(yíng)成本。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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SK海力士AI基礎(chǔ)設(shè)施部門首席營(yíng)銷官金柱善指出，HBM4的量產(chǎn)不僅是技術(shù)突破，更是解決AI時(shí)代關(guān)鍵挑戰(zhàn)的核心產(chǎn)品。公司計(jì)劃通過持續(xù)創(chuàng)新，提供覆蓋全場(chǎng)景的AI存儲(chǔ)解決方案，目標(biāo)成為“全方位AI存儲(chǔ)供應(yīng)商”。他透露，HBM4已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)將很快實(shí)現(xiàn)規(guī)模化供應(yīng)。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

行業(yè)分析認(rèn)為，SK海力士此次技術(shù)突破將重塑高端存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。隨著AI大模型參數(shù)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，對(duì)高帶寬、低功耗存儲(chǔ)器的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。HBM4的推出恰逢其時(shí)，有望幫助數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商在提升計(jì)算能力的同時(shí)控制運(yùn)營(yíng)成本，為AI技術(shù)的普及奠定硬件基礎(chǔ)。7aV28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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