7 月 10 日消息，綜合韓媒 The Elec 和 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子在昨日舉行的三星晶圓代工論壇 & SAFE 論壇 2024 韓國(guó)首爾場(chǎng)上表示，定制 HBM 預(yù)計(jì)在 HBM4 世代成為現(xiàn)實(shí)。GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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▲會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)。圖源三星電子新聞稿

三星電子存儲(chǔ)部門新事業(yè)企劃組組長(zhǎng) Choi Jang-seok 稱：“我們看到 HBM 架構(gòu)正在發(fā)生巨大變化。我們的許多客戶正在從傳統(tǒng)的通用 HBM 轉(zhuǎn)向定制產(chǎn)品。”GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

他補(bǔ)充道：“定制 HBM 將在 PPA（IT酷哥注：性能 Performance、功耗 Power 和面積 Area）方面提供與標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品不同的選擇，帶來顯著價(jià)值”。GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Choi Jang-seok 具體介紹了兩種可能的定制 HBM 形式：GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

不使用現(xiàn)有 2.5D 封裝方案中必需的中介層 (Interposer) 和基礎(chǔ)裸晶 (Base Die)，直接將 HBM 芯片 3D 集成在計(jì)算 SoC 上，可簡(jiǎn)化從計(jì)算芯片到 HBM 的數(shù)據(jù)路徑，降低芯片功耗和占地面積，這類似于之前展示過的 SAINT-D；GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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▲ 現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存封裝集成形式，數(shù)據(jù)流需通過中介層

將內(nèi)存的 I/O 接口和控制器轉(zhuǎn)移到 HBM 內(nèi)存的 Base Die 上，為計(jì)算芯片留出更多用于邏輯電路的空間。GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Choi Jang-seok 還提到三星電子正在開發(fā)單堆棧達(dá) 48GB 的大容量 HBM4 內(nèi)存，預(yù)計(jì)明年投產(chǎn)。GTa28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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