7 月 10 日消息，綜合韓媒 The Elec 和 ZDNET Korea 報道，三星電子在昨日舉行的三星晶圓代工論壇 & SAFE 論壇 2024 韓國首爾場上表示，定制 HBM 預(yù)計在 HBM4 世代成為現(xiàn)實。OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

▲會議現(xiàn)場。圖源三星電子新聞稿

三星電子存儲部門新事業(yè)企劃組組長 Choi Jang-seok 稱：“我們看到 HBM 架構(gòu)正在發(fā)生巨大變化。我們的許多客戶正在從傳統(tǒng)的通用 HBM 轉(zhuǎn)向定制產(chǎn)品。”OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

他補充道：“定制 HBM 將在 PPA（IT酷哥注：性能 Performance、功耗 Power 和面積 Area）方面提供與標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品不同的選擇，帶來顯著價值”。OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Choi Jang-seok 具體介紹了兩種可能的定制 HBM 形式：OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

不使用現(xiàn)有 2.5D 封裝方案中必需的中介層 (Interposer) 和基礎(chǔ)裸晶 (Base Die)，直接將 HBM 芯片 3D 集成在計算 SoC 上，可簡化從計算芯片到 HBM 的數(shù)據(jù)路徑，降低芯片功耗和占地面積，這類似于之前展示過的 SAINT-D；OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

▲ 現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存封裝集成形式，數(shù)據(jù)流需通過中介層

將內(nèi)存的 I/O 接口和控制器轉(zhuǎn)移到 HBM 內(nèi)存的 Base Die 上，為計算芯片留出更多用于邏輯電路的空間。OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Choi Jang-seok 還提到三星電子正在開發(fā)單堆棧達 48GB 的大容量 HBM4 內(nèi)存，預(yù)計明年投產(chǎn)。OfM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-26-100062-0.html三星電子：計劃在 HBM4 世代為客戶開發(fā)多樣化定制 HBM 內(nèi)存

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 一起聊聊 C# 特性詳解及實例應(yīng)用

下一篇： 中文大模型 2024 半年報出爐，通義千問通用能力國內(nèi)第一