石頭自清潔掃拖機器人G10S評測：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經常能看到一個詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結合在一起的產品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產品縫合的好、縫合的實用的話，那它就成了中性詞，今
12月15日消息，在第69屆IEEE 國際電子器件會議（IEDM）上，國產存儲第一大廠長鑫帶來了一篇淪為，其在技術上有了突破，可以搞定3nm技術芯片。
從長鑫發表的論文看，這是展示了其在環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術上的突破，而它可以用在3nm工藝制程芯片上，而當然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。
由于設備制程管制，長鑫現在還無法生產和制造，但這個論文已經顯示，他們擁有了這個技術實力，而這樣而是國產芯片自主突破的一個縮影。
在這之前，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
長鑫存儲也是國內首家推出自主研發生產的LPDDR5產品的品牌，實現了國內市場零的突破。
LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。
本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-25-46353-0.html國產存儲第一大廠長鑫突破封鎖：發布GAA技術相關論文 可用在3nm芯片上
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號