快科技7月3日消息,據媒體報道,三星在其第9代V-NAND閃存技術的革新中,巧妙地在金屬化工藝環節引入了鉬(Mo)作為替代材料,與之并行的另一路徑則繼續沿用傳統的鎢材料。
面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限,三星前瞻性地轉向鉬,這一轉變不僅有望實現層高30%至40%的進一步縮減,還能顯著降低NAND閃存的響應時間,為數據存儲領域帶來前所未有的性能飛躍。三星的這一決策,預示著NAND材料供應鏈即將迎來深刻的變革與重塑。
值得注意的是,鉬材料的引入并非易事,它要求生產設備能夠耐高溫處理,將固態鉬原材料加熱至600℃以轉化為氣態,這與六氟化鎢(WF6)的處理方式截然不同。
為此,三星已積極行動,從Lam Research公司引入了首批5臺Mo沉積機,并規劃在未來一年內再增購20臺,以加速其鉬基NAND的生產布局。
供應鏈方面,三星正與多家領先供應商緊密合作,包括Entegris和Air Liquide,以確保穩定的鉬源供應。同時,Merck等公司也積極響應,向三星提供了鉬材料的樣品,展示了行業對新技術路徑的廣泛支持與期待。
此外,SK海力士、美光和鎧俠等業界巨頭也紛紛跟進,探索在NAND生產中采用鉬材料的可行性,共同推動半導體材料的革新進程。
然而,鉬材料的采用也伴隨著成本的提升,其市場價格相較于六氟化鎢高出近十倍。盡管如此,鑒于其在提升性能方面的顯著優勢,以及未來在DRAM和邏輯芯片領域的潛在應用前景,鉬材料正成為眾多企業競相追逐的新寵。這一趨勢預示著六氟化鎢市場將面臨不可避免的收縮壓力,而含鉬材料的市場則將迅速崛起。
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