快科技12月22日消息,據報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星與SK海力士正加快內存生產,以應對來自AI的需求。
報道稱,三星電子近期不僅提升了韓國國內DRAM和NAND閃存的產線利用率,更重點擴大了高帶寬內存(HBM)等高端產品的產出。
另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工,預定2028年開始量產,以強化該公司的滿足先進存儲芯片需求的能力。
至于SK海力士,其位于清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產,該廠將聚焦于DRAM和其他AI導向的存儲產品。
業界高層表示,SK海力士正試圖趕在原定的2027年前,完成位于龍仁半導體園區內的首座晶圓廠,該設施規模相當于六座M15X晶圓廠。
由于AI相關需求預期在未來幾年持續激增,產能被視為競爭力的關鍵決定因素,根據Omdia的數據,全球DRAM市場規模預計在2026年前達到1700億美元,高于2024年的1000億美元。

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