三星電子正計劃與美國無晶圓廠半導體設計公司AMD深化合作,共同推進3nm芯片技術的應用。這一消息在比利時舉行的Imec ITF World 2024大會上,由AMD CEO蘇姿豐宣布,她透露AMD將利用3nm環繞柵極(GAA)技術生產下一代芯片。
三星宣稱,3nm GAA技術相較于上一代工藝節點,能夠提供30%的性能提升,減少50%的能耗,并降低45%的芯片面積。業界普遍認為,蘇姿豐的講話預示著AMD將正式與三星在3nm技術上展開合作。
盡管三星在存儲芯片制造領域占據全球領先地位,但在代工市場上仍遠落后于臺積電。然而,隨著臺積電的3nm產能已被蘋果和高通等大客戶預定,AMD與三星的合作顯得尤為重要。臺積電計劃從2nm節點開始引入GAA技術,這也促使三星加緊提升自身的技術水平。
過去幾年,三星和AMD已在智能手機GPU和高帶寬內存(HBM)芯片方面展開合作。去年,兩家公司簽署了一項多年期合作協議,將AMD的高性能Radeon圖像銳化功能引入三星的Exynos處理器。此外,三星還將為AMD提供HBM芯片和一站式封裝服務。
此次合作有望幫助三星在代工市場上縮小與臺積電的差距,為全球半導體行業帶來新的突破。總體來看,這一合作不僅提升了雙方的技術競爭力,還為整個行業注入了更多創新動力。
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