快科技5月23日消息,SK海力士宣布,正在基于其321層堆疊4D NAND閃存的新一代UFS 4.1存儲方案,將于2026年第一季度到來,可大大提升智能手機的存儲性能。
SK海力士稱,這種新的存儲芯片厚度只有區區0.85毫米,比之前238層堆疊的1.0毫米又縮小了15%,而且依然可以維持高達4.3GB/s的高持續讀取速度。
這樣的性能,已經超過了好的PCIe 3.0 SSD。
同時,隨機讀寫性能分別提升了15%、40%,更適合手機這種頻繁讀寫小文件的設備,但未透露具體數據。
能效方面,SK海力士也宣稱提升了7%,有利于延長續航,但也沒有給出具體數據。
不過,堆疊層數上去了,總容量并沒有變,目前還是512GB、1TB。
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