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三星電子被指侵犯哈佛技術(shù)專利:涉及驍龍8 Gen1及LPDDR5X

來源: 責(zé)編: 時間:2024-08-07 16:28:11 322觀看
導(dǎo)讀 近日,根據(jù)路透社消息,哈佛大學(xué)在當(dāng)?shù)貢r間7月5日向美國得克薩斯州東區(qū)地方法院提交起訴書,指控三星電子侵犯其技術(shù)專利。據(jù)悉,指控認(rèn)為三星電子侵犯了由哈佛大學(xué)化學(xué)系教授Roy G. Gordon發(fā)明,校方受讓的兩項(xiàng)專利,分別為“用

近日,根據(jù)路透社消息,哈佛大學(xué)在當(dāng)?shù)貢r間7月5日向美國得克薩斯州東區(qū)地方法院提交起訴書,指控三星電子侵犯其技術(shù)專利。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉,指控認(rèn)為三星電子侵犯了由哈佛大學(xué)化學(xué)系教授Roy G. Gordon發(fā)明,校方受讓的兩項(xiàng)專利,分別為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

哈佛方面稱,“這種薄膜對于計(jì)算機(jī)和手機(jī)等眾多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要”。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

根據(jù)指控,此次專利侵權(quán)涉及三星兩項(xiàng)產(chǎn)品的生產(chǎn)業(yè)務(wù)。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

其中,三星在代工驍龍8 Gen1的過程中,未經(jīng)授權(quán)使用了哈佛有關(guān)氮化鈷薄膜制備相關(guān)的技術(shù)。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此外,三星在生產(chǎn)LPDDR5X等內(nèi)存時,也未經(jīng)授權(quán)使用了哈佛大學(xué)鎢層沉積專利中至少一項(xiàng)權(quán)利要求的每個要素。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

對此,哈佛大學(xué)在起訴中要求三星電子停止侵權(quán)行為,并支付賠償。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

目前,哈佛方面沒有公開賠償金具體數(shù)額,三星電子方面也暫未對此事做出公開回應(yīng)。fdA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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