近日，根據路透社消息，哈佛大學在當地時間7月5日向美國得克薩斯州東區地方法院提交起訴書，指控三星電子侵犯其技術專利。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

據悉，指控認為三星電子侵犯了由哈佛大學化學系教授Roy G. Gordon發明，校方受讓的兩項專利，分別為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

哈佛方面稱，“這種薄膜對于計算機和手機等眾多產品的關鍵部件至關重要”。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

根據指控，此次專利侵權涉及三星兩項產品的生產業務。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

其中，三星在代工驍龍8 Gen1的過程中，未經授權使用了哈佛有關氮化鈷薄膜制備相關的技術。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

此外，三星在生產LPDDR5X等內存時，也未經授權使用了哈佛大學鎢層沉積專利中至少一項權利要求的每個要素。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

對此，哈佛大學在起訴中要求三星電子停止侵權行為，并支付賠償。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

目前，哈佛方面沒有公開賠償金具體數額，三星電子方面也暫未對此事做出公開回應。5yx28資訊網——每日最新資訊28at.com

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