8月30日消息,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊——“MG250YD2YMS3”。 新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
MG250YD2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導(dǎo)通電壓(傳感器)。此外,它還具有較低的開通和關(guān)斷損耗,分別為14mJ(典型值)和11mJ(典型值),與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設(shè)備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關(guān)損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設(shè)備的小型化。
東芝將不斷創(chuàng)新,持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設(shè)備小型化的需求。
應(yīng)用
工業(yè)設(shè)備
? 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)(光伏發(fā)電系統(tǒng)等)
? 儲能系統(tǒng)
? 工業(yè)設(shè)備用電機控制設(shè)備
? 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備
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