8月30日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊——“MG250YD2YMS3”。 新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。L1G28資訊網——每日最新資訊28at.com

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）和11mJ（典型值），與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。L1G28資訊網——每日最新資訊28at.com

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。L1G28資訊網——每日最新資訊28at.com

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