JavaScript 混淆及反混淆代碼工具
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9月6日消息，據路透社報導，全球光刻機大廠ASML CEO Peter Wennink表示，盡管有些供應商遇到了一些阻礙，但今年年底將照計劃推出下一代的High NA（高數值孔徑）EUV產品線的首款產品。
△ASML首個High-NA EUV光刻系統
由于EUV光刻系統中使用的極紫外光波長（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系統（193 nm）有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替。可以幫助芯片制造商繼續向7nm及以下更先進制程工藝推進的同時，進一步提升效率和降低曝光成本。
目前，EUV光刻機可以支持芯片制造商將芯片制程推進到3nm制程左右，但是如果要繼續推進到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數值孔徑（NA）的High-NA光刻機。
相比目前的0.33數值孔徑的EUV光刻機，High-NA EUV光刻機將數值孔徑提升到0.55，可以進一步提升分辨率（根據瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。
目前，臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術，以滿足高性能計算等先進芯片需求。而ASML新一代的高數值孔徑 High-NA EUV光刻機也就成為了爭奪的關鍵。
英特爾此前曾對外表示，其將率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。根據英特爾的規劃，其將在2024年率先量產Intel 20A和Intel 18A工藝，屆時或將有部分利用High-NA EUV光刻機。
2022年9月，臺積電研究發展資深副總經理米玉杰也對外表示，臺積電將在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻機，為客戶發展相關的基礎設施與架構解決方案。臺積電業務開發資深副總經理張曉強則表示，2024年取得設備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會量產。具體的量產將會是在2025年。
2022年4月，ASML曾披露，其位于 Veldhoven 的新潔凈室中已經開始集成第一個High-NA EUV光刻系統（EXE:5000）。2022年第一季度收到了多個EXE:5200系統（量產版High-NA EUV光刻系統）的訂單，2022年4月還收到了額外的EXE:5200 訂單。ASML當時確認，已收到了來自三個邏輯廠商和兩個存儲廠商的 High-NA EUV訂單。顯然，這里提到的三個邏輯晶圓廠應該是英特爾、臺積電和三星，兩個存儲晶圓廠可能是三星和SK海力士。
對于High-NA EUV光刻系統的商用，Peter Wennink此前也表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系統將首次應用于晶圓廠，計劃在2026年至2027年之間的某個時間點批量生產該設備，并將盡可能擴大其生產能力，預計到2027-2028年，High-NA EUV光刻系統的年產能將達到20個。
價格方面，ASML每臺設備的價格將在3億至3.5億歐元之間。顯然這個價格非常的高昂，達到了目前在售的EUV光刻機的2倍。但是對于正在先進制程領域激烈競爭的頭部晶圓廠來說，他們將別無選擇。
編輯：芯智訊-浪客劍
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