快科技9月25日消息,近日,臺(tái)積電公布了其下一代A14(1.4nm)工藝的新進(jìn)展,稱(chēng)其進(jìn)展順利,良率表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期。
除了良率,A14工藝在性能和能效方面相較于N2工藝有著顯著的提升,具體來(lái)說(shuō),A14性能比N2快15%,功耗降低了30%。

臺(tái)積電計(jì)劃在A14工藝中采用第二代GAAFET納米片晶體管和全新的NanoFlex Pro標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu),這些技術(shù)的應(yīng)用將使芯片密度比N2工藝提升高達(dá)20%。

這意味著在相同的芯片面積上,可以容納更多的晶體管,從而實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算能力和更低的功耗。
目前,臺(tái)積電預(yù)計(jì)A14工藝將在2028年進(jìn)入量產(chǎn)階段,蘋(píng)果、英偉達(dá)和AMD等大客戶也將采用這一新工藝,A14有望在未來(lái)幾年內(nèi)成為推動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品性能提升的關(guān)鍵力量。
本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-17-183918-0.html臺(tái)積電:A14進(jìn)展順利良率表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期!性能較N2提升15%
聲明:本網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容旨在傳播知識(shí),若有侵權(quán)等問(wèn)題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com
上一篇: 芯片承壓!曝英偉達(dá)入局Robotaxi 業(yè)內(nèi)人士:或打造“開(kāi)放版FSD”吸引車(chē)企