3月21日消息,意法半導體與三星聯手打造的18nmFD-SOI工藝近日亮相,該工藝引入了嵌入式相變存儲器(ePCM)技術,為半導體行業帶來革新。
FD-SOI,即全耗盡型絕緣體上硅技術,以其出色的漏電流控制能力和簡化的制造步驟在半導體工藝中占據一席之地。此次,意法半導體將其與三星的先進工藝結合,進一步提升了技術性能。
據ITBEAR科技資訊了解,與意法半導體目前使用的40nm eNVM技術相比,新的18nmFD-SOI工藝在多個方面實現了顯著的提升。在能效方面,新工藝提高了50%,這意味著在相同性能下,功耗將大幅降低。其次,數字密度也提升了3倍,使得片上能集成更多的晶體管,提高了整體性能。同時,新工藝還能容納更大的片上存儲器,并擁有更低的噪聲系數,進一步提升了芯片的穩定性和可靠性。
該工藝在3V電壓下即可提供多種模擬功能,包括電源管理、復位系統等。這在20nm以下制程中是獨一無二的,為低功耗設計提供了更多可能性。
此外,新的18nm FD-SOI工藝在抗高溫和抗輻射方面也有出色表現,使其非常適用于要求苛刻的工業應用,如汽車電子、航空航天等領域。
意法半導體表示,首款基于該制程的STM32MCU將于下半年開始向選定的客戶出樣,并計劃于2025年下半年量產。這無疑將為消費者帶來更好的使用體驗和更多的功能選擇。
隨著科技的不斷發展和創新,我們期待未來會有更多令人驚喜的產品問世,而意法半導體與三星的這次合作無疑為半導體行業的發展注入了新的活力。
本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-16-78488-0.html意法半導體與三星攜手推出革新性18nm FD-SOI工藝,引領半導體行業新篇章
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com