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SK海力士開發(fā)出238層NND閃存芯片 明年上半年量產(chǎn)

來源: 責編: 時間:2023-08-07 16:30:47 264觀看
導(dǎo)讀 北京時間8月3日消息,韓國SK海力士(SK Hynix)已經(jīng)開發(fā)出238層NAND閃存芯片,它可以用于PC存儲設(shè)備、智能手機和服務(wù)器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的23

北京時間8月3日消息,韓國SK海力士(SK Hynix)已經(jīng)開發(fā)出238層NAND閃存芯片,它可以用于PC存儲設(shè)備、智能手機和服務(wù)器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。2jA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片,數(shù)據(jù)傳輸速度相比上代產(chǎn)品提升50%,讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低21%。SK海力士準備于2023年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)新芯片。2jA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

英特爾NAND業(yè)務(wù)被SK海力士收購后更名為Solidigm,它與SK海力士合計占有全球NAND閃存市場的18%,僅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。2jA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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